- Нові надходження
- Простий пошук
- Розширений пошук
- Допомога
- Автори
- Видавництва
- Серії
- Тезаурус (Рубрики)
- Публічні полиці
Formation of radiation-induced defects in n-Si with lead and carbon impurities
Нет экз.
Статья
Автор:
Український фізичний журнал: Formation of radiation-induced defects in n-Si with lead and carbon impurities
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Український фізичний журнал: Formation of radiation-induced defects in n-Si with lead and carbon impurities
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Formation of radiation-induced defects in n-Si with lead and carbon impurities / V. B. Neimash [та ін.] // Український фізичний журнал. – 2005. – Т.50, №11. – P. 1273-1277. : fig.
Formation of radiation-induced defects in n-Si with lead and carbon impurities / V. B. Neimash [та ін.] // Український фізичний журнал. – 2005. – Т.50, №11. – P. 1273-1277. : fig.