- Нові надходження
- Простий пошук
- Розширений пошук
- Допомога
- Автори
- Видавництва
- Серії
- Тезаурус (Рубрики)
- Публічні полиці
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance ...
Нет экз.
Статья
Автор:
Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics: Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics: Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperatuture coefficient / T. M. Sabov [та ін.] // Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics. – 2017. – Vol.20, № 2. – P. 153-158. : fig., tab.
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperatuture coefficient / T. M. Sabov [та ін.] // Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics. – 2017. – Vol.20, № 2. – P. 153-158. : fig., tab.