- Нові надходження
- Простий пошук
- Розширений пошук
- Допомога
- Автори
- Видавництва
- Серії
- Тезаурус (Рубрики)
- Публічні полиці
Кузнецова, Мария Алексеевна - Пороговые характеристики быстродействующих лавинных и pinFET гетрофотодиодов на основе In P, JnGaAs
Диссертация
Автор: Кузнецова, Мария Алексеевна
Пороговые характеристики быстродействующих лавинных и pinFET гетрофотодиодов на основе In P, JnGaAs : дис. ... канд. физ.-мат. наук
1989 г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецова, Мария Алексеевна
Пороговые характеристики быстродействующих лавинных и pinFET гетрофотодиодов на основе In P, JnGaAs : дис. ... канд. физ.-мат. наук
1989 г.
ISBN отсутствует
Диссертация
ДИС 2467
Кузнецова, Мария Алексеевна.
Пороговые характеристики быстродействующих лавинных и pinFET гетрофотодиодов на основе In P, JnGaAs : дис ... канд. физ.-мат. наук / М. А. Кузнецова. – М., 1989. – 128 с.
Предметні рубрики = МАТЕМАТИКА. ПРИРОДНИЧІ НАУКИ : Фізика : дисертації - фізика
1237282 ОФ
ДИС 2467
Кузнецова, Мария Алексеевна.
Пороговые характеристики быстродействующих лавинных и pinFET гетрофотодиодов на основе In P, JnGaAs : дис ... канд. физ.-мат. наук / М. А. Кузнецова. – М., 1989. – 128 с.
Предметні рубрики = МАТЕМАТИКА. ПРИРОДНИЧІ НАУКИ : Фізика : дисертації - фізика
1237282 ОФ