- Нові надходження
- Простий пошук
- Розширений пошук
- Допомога
- Автори
- Видавництва
- Серії
- Тезаурус (Рубрики)
- Публічні полиці
Ткачук, Ольга Іванівна - Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)
Автореферат/Диссертация
Автор: Ткачук, Ольга Іванівна
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис. ... канд. хім. наук
2019 г.
ISBN отсутствует
Автор: Ткачук, Ольга Іванівна
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис. ... канд. хім. наук
2019 г.
ISBN отсутствует
Автореферат
РЕФ 177380
Ткачук, Ольга Іванівна.
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис ... канд. хім. наук : [спец.] 02.00.04 "Фізична хімія" / О. І. Ткачук. – Київ, 2019. – 22 с.
Предметні рубрики = МАТЕМАТИКА. ПРИРОДНИЧІ НАУКИ : Хімія. Кристалографія. Мінералогія : фізична хімія : автореферати - фізична хімія
1675279 ОФ
РЕФ 177380
Ткачук, Ольга Іванівна.
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис ... канд. хім. наук : [спец.] 02.00.04 "Фізична хімія" / О. І. Ткачук. – Київ, 2019. – 22 с.
Предметні рубрики = МАТЕМАТИКА. ПРИРОДНИЧІ НАУКИ : Хімія. Кристалографія. Мінералогія : фізична хімія : автореферати - фізична хімія
1675279 ОФ