- Нові надходження
- Простий пошук
- Розширений пошук
- Допомога
- Автори
- Видавництва
- Серії
- Тезаурус (Рубрики)
- Публічні полиці
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
Нет экз.
Статья
Автор:
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів / В. П. Маслов [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – Вып.53. – C. 188-198.
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів / В. П. Маслов [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – Вып.53. – C. 188-198.