Книга
22.3 Ф503

Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники / А. Е. Беляев [и др.] ; под ред.: А. Е. Беляев, Р. В. Конакова ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева [и др.]. – Киев : Наукова думка, 2016. – 258 с. : рис., табл. – (Проект "Наукова книга")
Библиогр.: с. 226-254
ISBN 978-966-00-1508-1.

В монографии систематизированы и обобщены результаты анализа особенностей технологии объемных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, а также физико-технологических, модельных и теоретических исследований омических контактов к нитриду галлия. Впервые подробно рассмотрены температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области нитрида галлия. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся проблемами технологии нитрида галлия и производством приборов на его основе, а также аспирантов и студентов высшей школы

ББК з852-3
ББК з852-06
ББК В379.212

Предметні рубрики = Энергетика, радиоэлектроника : радиоэлектроника : электроника : полупроводниковые приборы : материалы полупроводниковой электроники
Предметні рубрики = Энергетика, радиоэлектроника : радиоэлектроника : электроника : полупроводниковые приборы : технология производства полупроводниковых приборов
Предметні рубрики = Физика : физика твердого тела, кристаллография : физика полупроводников и диэлектриков : физика полупроводников : структура полупроводников, кристаллическая решетка полупроводников
Предметні рубрики = виртуальный просмотр
Предметні рубрики = пут 140 141 142 146

1658885 Читальный зал
1658903 Ф 1 - 10 комн.