Книга
97-а 9292

Кругляк, Юрий Алексеевич.
Физика и моделирование нанотранзисторов / Ю. А. Кругляк. – Одесса : ТЭС, 2018. – 313 с. : рис., табл.
Библиогр. в конце гл.
ISBN 978-617-7711-06-2.

Книга посвящена физике и моделированию полевых транзисторов с акцентом на короткоканальные микро- и современные нанотранзисторы типа МДП-транзистора с изолированным затвором МOSFET, полевого транзистора с высокой подвижностью электронов III-V НЕМТ, транзисторов на чрезвычайно тонкой КНИ-подложке ЕТSOI в том числе с затворами DG и GАА, с каналами и СИТ, транзисторов FINfet однако, развитые подходы применимы и к транзисторам типа JFET, МESFET, ВJТ и им подобным. Рассматривается физическое устройство, метрика и управление FЕТ, теория МOSFET дается сначала в традиционном изложении, затем формулируются начала модели виртуального истока, приближение истощения на фоне уравнение Пуассона, обсуждается подвижный электронный заряд в массивной структуре МOS и в исключительно тонкой SOI, из 2D электростатики MOS подробно рассматриваются DIBL геометрическое экранирование, емкостная модель, масштабирование транзисторов, их пробой. Во второй части достаточно подробно излагается обобщенная транспортная модель Ландауэра - Датта - Лундстрома сначала применительно к 2D баллистическим МOSFET, затем баллистическая модель объединяется с моделью виртуального истока, качественно обсуждается рассеяние электронов в канале проводимости и строится модель прохождения МOSFET, которая затем объединяется с моделью виртуального истока в финальный, наиболее современный ныне вариант модели МVS-прохождения, иллюстрируемой примерами обработки экспериментальных выходных характеристик нанотранзисторов ETSOI MOSFET и III-V HEMT. В заключение обсуждаются фундаментальные пределы и ограничения Si FET, квантовый транспорт в МOSFET с длиной канала менее 10 нм, упрощающие допущения и неясные вопросы в модели МVS-прохождения, а также полевой транзистор рассматривается с позиций наноэлектроники «снизу - вверх». Книга написана в основном по лекциям Марка Лундстрома. Книга предназначена для специалистов в области короткоканальной микроэлектроники и наноэлектроники, а также физики полупроводников.



Предметні рубрики = ПРИКЛАДНІ НАУКИ. МЕДИЦИНА. ТЕХНІКА : Машинобудування. Техніка в цілому : випробування матеріалів, матеріали промислового значення, електростанції, економіка енергетики : матеріали промислового значення, товари, продукти виробництва : наноматеріали
Предметні рубрики = ПРИКЛАДНІ НАУКИ. МЕДИЦИНА. ТЕХНІКА : Машинобудування. Техніка в цілому : загальне машинобудування, ядерна техніка, електротехніка : електрика, електротехніка : електроніка, електронні лампи, фотоелектроніка, рентгенотехніка, прискорювачі елементарних частинок, оптоелектроніка : електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла, напівпровідникові елементи : напівпровідникові пристрої : транзистори

1671502 ОФ